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關(guān)于通用變頻器的5個注意事項(xiàng)

bmller 2021-04-02

         變頻器常見的頻率給定方法首要有幾種 變頻器常見的頻率給定方法有鍵盤模擬電位器給定(鍵盤∧Ⅴ鍵);功用碼數(shù)字給定;串行口給定;端子UO/DOWN給定;模擬電壓給定(外控0~5V、0~10V);模擬電流給定(外控4~20mA);脈沖給定;組合給定(可多種給定隨時切換),僅僅方法不同,本質(zhì)是一回事。
        高性能矢量變頻器是使用變頻技能與微電子技能,通過改變電機(jī)工作電源頻率方法來操控溝通電動機(jī)的電力操控設(shè)備,變頻調(diào)速器首要由整流、濾波、逆變、制動單元、驅(qū)動單元、檢測單元、微處理單元等組成。變頻器靠內(nèi)部GBT的開斷來調(diào)整輸出電源的電壓和頻率,根據(jù)電機(jī)的實(shí)際需求來供給所需求的電源電壓,進(jìn)而達(dá)到節(jié)能、調(diào)整的目的。別的,變頻器還有許多保護(hù)功用,如過流、過壓、過載保護(hù)等等。
       那么通用變頻器電機(jī)線配線需求留意的5個事項(xiàng)你知道嗎?小編就說一下通用變頻器電機(jī)線配線留意事項(xiàng):
◆禁止將變頻器輸出端子短接或接地,不然將導(dǎo)致變頻器內(nèi)部器材損壞。
◆防止輸出線與變頻器外殼短路,不然有觸電風(fēng)險。
◆禁止在變頻器的輸出端連接電容或相位超前的LC/RC噪聲濾波器,不然將導(dǎo)致變頻器內(nèi)部器材損壞。
◆在變頻器與電機(jī)之間安裝接觸器時,不能在變頻器運(yùn)轉(zhuǎn)中進(jìn)行輸出端接觸器開關(guān)動作,不然會有很大的電流流入變頻器,使變頻器保護(hù)動作。
◆變頻器與電機(jī)間的電纜長度: 當(dāng)變頻器與電機(jī)間電纜較長時,輸出端的高次諧波漏電流會對變頻器和外圍設(shè)備產(chǎn)生不利影響。主張電機(jī)電 纜超越100米時,安裝輸出溝通電抗器。
變頻調(diào)速體系結(jié)構(gòu)與原理
變頻器的概述
        直流電動機(jī)調(diào)速體系具有良好的啟動、制動性能及在大范圍內(nèi)平滑調(diào)速的長處,因此在曩昔很長的一段時間內(nèi),在需求進(jìn)行調(diào)速操控的拖動體系中一直占有主導(dǎo)地位。但是直流電動機(jī)采用機(jī)械換向器換向,其單機(jī)容量、最高電壓、最大轉(zhuǎn)速等方面受到限制,并且保護(hù)、修理復(fù)雜。20世紀(jì)70年代以來,跟著溝通電動機(jī)調(diào)速體系理論、電力電子技能、以微處理器為核心的全數(shù)字化操控等關(guān)鍵技能的發(fā)展,溝通電動機(jī)變頻調(diào)速技能逐漸成熟。現(xiàn)在,變頻調(diào)速技能的使用簡直現(xiàn)已擴(kuò)展到了工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域的一切普通溝通異步電動機(jī)的調(diào)速操控,并且在空調(diào)、洗衣機(jī)、電冰箱等家電產(chǎn)品中也得到了廣泛的使用
變頻器的界說及分類
界說:
變頻器是一種利用電力半導(dǎo)體器材的通斷作用,將工頻溝通電換成頻率、電壓連續(xù)可調(diào)的溝通電的電能操控設(shè)備。
變頻器中常用電力半導(dǎo)體器材
現(xiàn)在,通用變頻器逆變電路使用的電力半導(dǎo)體器材首要有電力晶體管GTR、電力場效應(yīng)晶體管MOSFET、絕緣柵雙極晶體管IGBT、門極可關(guān)斷晶體管GTO和智能功率模塊IPM等。首要介紹GTR 、MOSFET和IGBT。
1、大功率晶體管(BJT或GTR
(1)特點(diǎn):是一種雙極結(jié)型晶體管,實(shí)際上是復(fù)合晶體管(達(dá)林頓管)。其基本結(jié)構(gòu)與晶體管相同,由集電極C,放射極e和基極b,集電極電流ic的巨細(xì)受基極電流IB的操控,屬電流操控型器材。
(2)優(yōu)缺點(diǎn):
(優(yōu))擊穿電壓和集電極最大飽和電流都較大。
(缺)開關(guān)頻率較低,最高2KHZ,因而以大功率晶體管為逆變器材的變頻器負(fù)載波頻率也很低,電動機(jī)電磁噪聲大。此外,操控電路的驅(qū)動功率也較大。
2、功率場效應(yīng)管(MOSFET)
(1)特點(diǎn):與場效應(yīng)管相同,由漏極d,源極s和操控極g構(gòu)成。漏極電流id的巨細(xì)受操控極與源極間的電壓UGS 的操控,屬電壓操控。
2)優(yōu)缺點(diǎn):
(優(yōu))MOSFET的開關(guān)頻率較高,最高達(dá)20kHZ,設(shè)MOSFET為逆變管的變頻器的載波頻率也較高,下降電機(jī)電磁噪聲。操控電路所需驅(qū)動功率較小。
(缺)MOSFET的擊穿電壓和漏極最大飽和電流較小,難以滿足多數(shù)變頻器的要求。
3、絕緣柵雙極性晶體管(IGBT管)
1)特點(diǎn):是MOSFET和BJT結(jié)合產(chǎn)物,其主體部分與晶體管相同,也是集電極c和發(fā)射極e;但驅(qū)動部分卻和場效應(yīng)管相同,是絕緣柵結(jié)構(gòu)。集電極電流ic的巨細(xì)受操控極與放射極間的電壓UGE 的操控,也屬于電壓操控型器材。使用時常在 管旁并聯(lián)一個反向續(xù)流二極管,且做成雙管或六管模塊。

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